N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD18533Q5A

RS kataloški broj:: 827-4892Probna marka: Texas InstrumentsProizvođački broj:: CSD18533Q5A
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

NexFET

Package Type

VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 4.5 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 3,266

Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 3,821

Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD18533Q5A
Odaberite vrstu pakovanja

KM 3,266

Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 3,821

Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD18533Q5A
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo kolut
5 - 45KM 3,266KM 16,33
50 - 95KM 2,66KM 13,30
100+KM 2,12KM 10,60

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

NexFET

Package Type

VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 4.5 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više