N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD19536KCS

RS kataloški broj:: 121-9764robna marka: Texas InstrumentsProizvođački broj:: CSD19536KCS
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

259 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

NexFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.7mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

118 nC @ 10 V

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

Malaysia

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 508,28

KM 10,166 Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)

KM 594,69

KM 11,894 Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD19536KCS

50

Dostupno u više komada 50
50KM 508,28
100KM 1.016,56
150KM 1.524,84
200KM 2.033,13
250KM 2.541,41
300KM 3.049,69
350KM 3.557,97
400KM 4.066,25
450KM 4.574,53
500KM 5.082,82
550KM 5.591,10
600KM 6.099,38
650KM 6.607,66
700KM 7.115,94
750KM 7.624,22

KM 508,28

KM 10,166 Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)

KM 594,69

KM 11,894 Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD19536KCS
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

50

Dostupno u više komada 50
50KM 508,28
100KM 1.016,56
150KM 1.524,84
200KM 2.033,13
250KM 2.541,41
300KM 3.049,69
350KM 3.557,97
400KM 4.066,25
450KM 4.574,53
500KM 5.082,82
550KM 5.591,10
600KM 6.099,38
650KM 6.607,66
700KM 7.115,94
750KM 7.624,22

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

259 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

NexFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.7mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

118 nC @ 10 V

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

Malaysia

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više