Toshiba N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V, 3-Pin TO-220SIS TK5A50D,S5Q(J
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
35 W @ 25 °C
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
-1.7V
Height
15mm
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
KM 23,08
KM 1,154 Each (In a Pack of 20) (bez PDV-a)
KM 27,00
KM 1,35 Each (In a Pack of 20) (s PDV-om)
20
KM 23,08
KM 1,154 Each (In a Pack of 20) (bez PDV-a)
KM 27,00
KM 1,35 Each (In a Pack of 20) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
20
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | Jedinična cijena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 20 - 40 | KM 1,154 | KM 23,08 |
| 60+ | KM 1,056 | KM 21,12 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
35 W @ 25 °C
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
-1.7V
Height
15mm
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda