P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3

RS kataloški broj:: 178-3663robna marka: Vishay SiliconixProizvođački broj:: Si2319DDS-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.6 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12.5 nC @ 10 V

Height

1.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 1.751,95

KM 0,584 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 2.049,78

KM 0,683 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3

3000

Dostupno u više komada 3000
3000KM 1.751,95
6000KM 3.503,90
9000KM 5.255,85
12000KM 7.007,80
15000KM 8.759,74
18000KM 10.511,69
21000KM 12.263,64
24000KM 14.015,59
27000KM 15.767,54
30000KM 17.519,49
33000KM 19.271,44
36000KM 21.023,39
39000KM 22.775,34
42000KM 24.527,29
45000KM 26.279,24

KM 1.751,95

KM 0,584 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 2.049,78

KM 0,683 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000KM 1.751,95
6000KM 3.503,90
9000KM 5.255,85
12000KM 7.007,80
15000KM 8.759,74
18000KM 10.511,69
21000KM 12.263,64
24000KM 14.015,59
27000KM 15.767,54
30000KM 17.519,49
33000KM 19.271,44
36000KM 21.023,39
39000KM 22.775,34
42000KM 24.527,29
45000KM 26.279,24

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.6 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12.5 nC @ 10 V

Height

1.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više