N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix SQ2364EES-T1_GE3

RS kataloški broj:: 178-3708robna marka: Vishay SiliconixProizvođački broj:: SQ2364EES-T1_GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Series

TrenchFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.46V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

1.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 0,908

Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 1,062

Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix SQ2364EES-T1_GE3

3000

Dostupno u više komada 3000
3000KM 2.725,25
6000KM 5.450,51
9000KM 8.175,76
12000KM 10.901,02
15000KM 13.626,27
18000KM 16.351,52
21000KM 19.076,78
24000KM 21.802,03
27000KM 24.527,29
30000KM 27.252,54
33000KM 29.977,79
36000KM 32.703,05
39000KM 35.428,30
42000KM 38.153,56
45000KM 40.878,81

KM 0,908

Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 1,062

Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix SQ2364EES-T1_GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000KM 2.725,25
6000KM 5.450,51
9000KM 8.175,76
12000KM 10.901,02
15000KM 13.626,27
18000KM 16.351,52
21000KM 19.076,78
24000KM 21.802,03
27000KM 24.527,29
30000KM 27.252,54
33000KM 29.977,79
36000KM 32.703,05
39000KM 35.428,30
42000KM 38.153,56
45000KM 40.878,81

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Series

TrenchFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.46V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

1.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više