N-Channel MOSFET, 23 A, 500 V, 3-Pin TO-247AC Vishay IRFP23N50LPBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
235 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
370 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
RSD 1.273,69
komad (u Tubi od 25) (bez PDV-a)
RSD 1.528,428
komad (u Tubi od 25) (s PDV-om)
25
RSD 1.273,69
komad (u Tubi od 25) (bez PDV-a)
RSD 1.528,428
komad (u Tubi od 25) (s PDV-om)
25
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RSD 1.273,69 | RSD 31.842 |
| 50 - 100 | RSD 1.214,905 | RSD 30.373 |
| 125+ | RSD 1.143,055 | RSD 28.576 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
235 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
370 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda