N-Channel MOSFET, 1.34 A, 8 V, 6-Pin SOT-523 Vishay SI1050X-T1-GE3

RS kataloški broj:: 812-3035robna marka: VishayProizvođački broj:: SI1050X-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.34 A

Maximum Drain Source Voltage

8 V

Package Type

SOT-523 (SC-89)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

120 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.35V

Maximum Power Dissipation

236 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-5 V, +5 V

Width

1.2mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.7 nC @ 5 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.6mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.34 A, 8 V, 6-Pin SOT-523 Vishay SI1050X-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.34 A, 8 V, 6-Pin SOT-523 Vishay SI1050X-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.34 A

Maximum Drain Source Voltage

8 V

Package Type

SOT-523 (SC-89)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

120 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.35V

Maximum Power Dissipation

236 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-5 V, +5 V

Width

1.2mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.7 nC @ 5 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.6mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više