N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3

RS kataloški broj:: 710-3320Probna marka: VishayProizvođački broj:: Si4134DY-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15.4 nC @ 10 V, 7.3 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 2,271

Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 2,657

Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10KM 22,71
20KM 45,42
30KM 68,13
40KM 90,84
50KM 113,55
60KM 136,26
70KM 158,97
80KM 181,68
90KM 204,39
100KM 216,29
110KM 237,92
120KM 259,55
130KM 281,18
140KM 302,81
150KM 324,44

KM 2,271

Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 2,657

Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10KM 22,71
20KM 45,42
30KM 68,13
40KM 90,84
50KM 113,55
60KM 136,26
70KM 158,97
80KM 181,68
90KM 204,39
100KM 216,29
110KM 237,92
120KM 259,55
130KM 281,18
140KM 302,81
150KM 324,44

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo kolut
10 - 90KM 2,271KM 22,71
100 - 240KM 2,163KM 21,63
250 - 490KM 2,033KM 20,33
500 - 990KM 1,99KM 19,90
1000+KM 1,947KM 19,47

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15.4 nC @ 10 V, 7.3 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više