Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4599DY-T1-GE3

RS kataloški broj:: 812-3233robna marka: VishayProizvođački broj:: SI4599DY-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

4.7 A, 6.8 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

42.5 mΩ, 62 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

3 W, 3.1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

11.7 nC @ 10 V, 25 nC @ 10 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 2,531

Each (In a Pack of 20) (bez PDV-a)

KM 2,961

Each (In a Pack of 20) (s PDV-om)

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4599DY-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 20.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 20.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

20

Dostupno u više komada 20
20KM 50,61
40KM 101,22
60KM 151,84
80KM 202,45
100KM 253,06
120KM 303,67
140KM 354,28
160KM 404,89
180KM 455,51
200KM 393,65
220KM 433,01
240KM 472,38
260KM 511,74
280KM 551,11
300KM 590,47

KM 2,531

Each (In a Pack of 20) (bez PDV-a)

KM 2,961

Each (In a Pack of 20) (s PDV-om)

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4599DY-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 20.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 20.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

20

Dostupno u više komada 20
20KM 50,61
40KM 101,22
60KM 151,84
80KM 202,45
100KM 253,06
120KM 303,67
140KM 354,28
160KM 404,89
180KM 455,51
200KM 393,65
220KM 433,01
240KM 472,38
260KM 511,74
280KM 551,11
300KM 590,47

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
20 - 180KM 2,531KM 50,61
200 - 480KM 1,968KM 39,36
500 - 980KM 1,73KM 34,61
1000 - 1980KM 1,665KM 33,31
2000+KM 1,449KM 28,98

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

4.7 A, 6.8 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

42.5 mΩ, 62 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

3 W, 3.1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

11.7 nC @ 10 V, 25 nC @ 10 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više