N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR692DP-T1-RE3

RS kataloški broj:: 134-9731robna marka: VishayProizvođački broj:: SIR692DP-T1-RE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24.2 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

67 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.26mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

25.3 nC @ 10 V

Length

6.25mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.12mm

Forward Diode Voltage

1.1V

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 5,624

Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 6,58

Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR692DP-T1-RE3
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5KM 28,12
10KM 56,24
15KM 84,35
20KM 112,47
25KM 140,59
30KM 168,71
35KM 196,82
40KM 224,94
45KM 253,06
50KM 243,33
55KM 267,66
60KM 291,99
65KM 316,32
70KM 340,66
75KM 364,99

KM 5,624

Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 6,58

Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR692DP-T1-RE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5KM 28,12
10KM 56,24
15KM 84,35
20KM 112,47
25KM 140,59
30KM 168,71
35KM 196,82
40KM 224,94
45KM 253,06
50KM 243,33
55KM 267,66
60KM 291,99
65KM 316,32
70KM 340,66
75KM 364,99

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
5 - 45KM 5,624KM 28,12
50 - 120KM 4,867KM 24,33
125 - 245KM 4,326KM 21,63
250 - 495KM 3,742KM 18,71
500+KM 3,071KM 15,36

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24.2 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

67 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.26mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

25.3 nC @ 10 V

Length

6.25mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.12mm

Forward Diode Voltage

1.1V

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više