N-Channel MOSFET, 63 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SiSS32LDN-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
PowerPAK 1212-8S
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0072 Ω, 0.0095 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Series
TrenchFET® Gen IV
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
PowerPAK 1212-8S
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0072 Ω, 0.0095 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Series
TrenchFET® Gen IV
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda