SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 4-Pin TO-247-4 Wolfspeed C3M0065100K

RS kataloški broj:: 125-3453Probna marka: WolfspeedProizvođački broj:: C3M0065100K
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Wolfspeed

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Series

C3M

Package Type

TO-247-4

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

113.5 W

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +19 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

16.13mm

Typical Gate Charge @ Vgs

35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V

Width

5.21mm

Transistor Material

SiC

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

4.8V

Height

23.6mm

Detalji o proizvodu

Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.

MOSFET Transistors, Cree Inc.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 57,32

Each (Supplied in a Tube) (bez PDV-a)

KM 67,06

Each (Supplied in a Tube) (s PDV-om)

SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 4-Pin TO-247-4 Wolfspeed C3M0065100K
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cijev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

25

Dostupno u više komada 25
25KM 1.432,92
26KM 1.490,24
27KM 1.547,55
28KM 1.604,87
29KM 1.662,19
30KM 1.719,51
31KM 1.776,82
32KM 1.834,14
33KM 1.891,46
34KM 1.948,77
35KM 2.006,09
36KM 2.063,41
37KM 2.120,72
38KM 2.178,04
39KM 2.235,36

KM 57,32

Each (Supplied in a Tube) (bez PDV-a)

KM 67,06

Each (Supplied in a Tube) (s PDV-om)

SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 4-Pin TO-247-4 Wolfspeed C3M0065100K
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cijev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

25

Dostupno u više komada 25
25KM 1.432,92
26KM 1.490,24
27KM 1.547,55
28KM 1.604,87
29KM 1.662,19
30KM 1.719,51
31KM 1.776,82
32KM 1.834,14
33KM 1.891,46
34KM 1.948,77
35KM 2.006,09
36KM 2.063,41
37KM 2.120,72
38KM 2.178,04
39KM 2.235,36

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Wolfspeed

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Series

C3M

Package Type

TO-247-4

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

113.5 W

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +19 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

16.13mm

Typical Gate Charge @ Vgs

35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V

Width

5.21mm

Transistor Material

SiC

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

4.8V

Height

23.6mm

Detalji o proizvodu

Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.

MOSFET Transistors, Cree Inc.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više