SiC MOSFET, 1200 V Wolfspeed CAB450M12XM3

Name: SiC MOSFET, 1200 V Wolfspeed CAB450M12XM3
Brand: Wolfspeed
SKU: 1923386

RS kataloški broj:: 192-3386robna marka: WolfspeedProizvođački broj:: CAB450M12XM3

Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Wolfspeed

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Maximum Gate Threshold Voltage

3.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

50 mW

Maximum Gate Source Voltage

-4 V, 19 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

SiC

Length

80mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1330 nC @ 4/15V

Width

53mm

Number of Elements per Chip

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Height

15.75mm

Zemlja podrijetla

United States

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

SiC MOSFET, 1200 V Wolfspeed CAB450M12XM3

P.O.A.

SiC MOSFET, 1200 V Wolfspeed CAB450M12XM3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda

Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Wolfspeed

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Maximum Gate Threshold Voltage

3.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

50 mW

Maximum Gate Source Voltage

-4 V, 19 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

SiC

Length

80mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1330 nC @ 4/15V

Width

53mm

Number of Elements per Chip

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Height

15.75mm

Zemlja podrijetla

United States