N-Channel MOSFET, 192 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN210N30P3

RS kataloški broj:: 177-5342robna marka: IXYSProizvođački broj:: IXFN210N30P3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

192 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Series

HiperFET, Polar3

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

14.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

1.5 kW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

25.07mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

38.23mm

Typical Gate Charge @ Vgs

268 nC @ 10 V

Height

9.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 140,588

Each (In a Tube of 10) (bez PDV-a)

KM 164,488

Each (In a Tube of 10) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 192 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN210N30P3

KM 140,588

Each (In a Tube of 10) (bez PDV-a)

KM 164,488

Each (In a Tube of 10) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 192 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN210N30P3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

192 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Series

HiperFET, Polar3

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

14.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

1.5 kW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

25.07mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

38.23mm

Typical Gate Charge @ Vgs

268 nC @ 10 V

Height

9.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više