STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E

RS kataloški broj:: 829-0627Probna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: PD55015-E
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerSO

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

10

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

73 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

9.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

9.6mm

Maximum Operating Temperature

+165 °C

Height

3.6mm

Typical Power Gain

14 dB

Detalji o proizvodu

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 58,67

KM 58,67 Each (Supplied in a Tube) (bez PDV-a)

KM 68,64

KM 68,64 Each (Supplied in a Tube) (s PDV-om)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cijev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1KM 58,67
2KM 117,35
3KM 176,02
4KM 234,70
5KM 293,37
6KM 352,04
7KM 410,72
8KM 469,39
9KM 528,07
10KM 586,74
11KM 645,41
12KM 704,09
13KM 762,76
14KM 821,44
15KM 880,11

KM 58,67

KM 58,67 Each (Supplied in a Tube) (bez PDV-a)

KM 68,64

KM 68,64 Each (Supplied in a Tube) (s PDV-om)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cijev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1KM 58,67
2KM 117,35
3KM 176,02
4KM 234,70
5KM 293,37
6KM 352,04
7KM 410,72
8KM 469,39
9KM 528,07
10KM 586,74
11KM 645,41
12KM 704,09
13KM 762,76
14KM 821,44
15KM 880,11

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerSO

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

10

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

73 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

9.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

9.6mm

Maximum Operating Temperature

+165 °C

Height

3.6mm

Typical Power Gain

14 dB

Detalji o proizvodu

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više