N-Channel MOSFET, 1.5 A, 30 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD17483F4T

RS kataloški broj:: 823-9243Probna marka: Texas InstrumentsProizvođački broj:: CSD17483F4T
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PICOSTAR

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

550 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Width

0.64mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.01 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.04mm

Height

0.35mm

Series

FemtoFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.5 A, 30 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD17483F4T
Odaberite vrstu pakovanja

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.5 A, 30 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD17483F4T
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PICOSTAR

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

550 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Width

0.64mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.01 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.04mm

Height

0.35mm

Series

FemtoFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više