N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba SSM3K339R

RS kataloški broj:: 171-2402robna marka: ToshibaProizvođački broj:: SSM3K339R
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

390 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±12 V

Width

1.8mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.1 nC @ 4.2 V

Height

0.7mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Zemlja podrijetla

Thailand

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 0,281

Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 0,329

Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba SSM3K339R

KM 0,281

Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 0,329

Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba SSM3K339R
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo kolut
3000 - 3000KM 0,281KM 843,53
6000+KM 0,26KM 778,64

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

390 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±12 V

Width

1.8mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.1 nC @ 4.2 V

Height

0.7mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Zemlja podrijetla

Thailand

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više