N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK31E60X,S1X(S

RS kataloški broj:: 125-0563robna marka: ToshibaProizvođački broj:: TK31E60X,S1X(S
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-220

Series

DTMOSIV

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

88 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

230 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

65 nC @ 10 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.7V

Height

15.1mm

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 22,67

KM 11,334 Each (In a Pack of 2) (bez PDV-a)

KM 26,52

KM 13,261 Each (In a Pack of 2) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK31E60X,S1X(S

2

Dostupno u više komada 2
2KM 22,67
4KM 45,33
6KM 68,00
8KM 90,67
10KM 84,14
12KM 100,96
14KM 117,79
16KM 134,62
18KM 151,45
20KM 168,27
22KM 185,10
24KM 201,93
26KM 218,76
28KM 235,58
30KM 252,41

KM 22,67

KM 11,334 Each (In a Pack of 2) (bez PDV-a)

KM 26,52

KM 13,261 Each (In a Pack of 2) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK31E60X,S1X(S
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2

Dostupno u više komada 2
2KM 22,67
4KM 45,33
6KM 68,00
8KM 90,67
10KM 84,14
12KM 100,96
14KM 117,79
16KM 134,62
18KM 151,45
20KM 168,27
22KM 185,10
24KM 201,93
26KM 218,76
28KM 235,58
30KM 252,41

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
2 - 8KM 11,334KM 22,67
10+KM 8,414KM 16,83

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-220

Series

DTMOSIV

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

88 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

230 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

65 nC @ 10 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.7V

Height

15.1mm

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više