Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ415EP-T1_GE3

RS kataloški broj:: 178-3717brend: Vishay SiliconixProizvođački broj:: SQJ415EP-T1_GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

63 nC @ 10 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Automotive Standard

AEC-Q101

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

RSD 219.467

RSD 73,156 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)

RSD 263.360

RSD 87,787 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ415EP-T1_GE3

3000

Dostupno u više komada 3000
3000RSD 219.467
6000RSD 438.933
9000RSD 658.400
12000RSD 877.867
15000RSD 1.097.333
18000RSD 1.316.800
21000RSD 1.536.266
24000RSD 1.755.733
27000RSD 1.975.200
30000RSD 2.194.666
33000RSD 2.414.133
36000RSD 2.633.600
39000RSD 2.853.066
42000RSD 3.072.533
45000RSD 3.291.999

RSD 219.467

RSD 73,156 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)

RSD 263.360

RSD 87,787 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ415EP-T1_GE3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000RSD 219.467
6000RSD 438.933
9000RSD 658.400
12000RSD 877.867
15000RSD 1.097.333
18000RSD 1.316.800
21000RSD 1.536.266
24000RSD 1.755.733
27000RSD 1.975.200
30000RSD 2.194.666
33000RSD 2.414.133
36000RSD 2.633.600
39000RSD 2.853.066
42000RSD 3.072.533
45000RSD 3.291.999

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

63 nC @ 10 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Automotive Standard

AEC-Q101

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više