Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7288DP-T1-GE3

RS kataloški broj:: 818-1390Pbrend: VishayProizvođački broj:: SI7288DP-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

15.6 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

RSD 21.685

RSD 216,854 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 26.022

RSD 260,225 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7288DP-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 10
100RSD 21.685
110RSD 23.854
120RSD 26.022
130RSD 28.191
140RSD 30.360
150RSD 32.528
160RSD 34.697
170RSD 36.865
180RSD 39.034
190RSD 41.202
200RSD 43.371
210RSD 45.539
220RSD 47.708
230RSD 49.876
240RSD 52.045

RSD 21.685

RSD 216,854 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 26.022

RSD 260,225 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7288DP-T1-GE3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 10
100RSD 21.685
110RSD 23.854
120RSD 26.022
130RSD 28.191
140RSD 30.360
150RSD 32.528
160RSD 34.697
170RSD 36.865
180RSD 39.034
190RSD 41.202
200RSD 43.371
210RSD 45.539
220RSD 47.708
230RSD 49.876
240RSD 52.045

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinaJedinična cenaPo kolut
100 - 240RSD 216,854RSD 2.169
250 - 490RSD 189,421RSD 1.894
500 - 990RSD 185,502RSD 1.855
1000+RSD 180,276RSD 1.803

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

15.6 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više