N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SIS468DN-T1-GE3

RS kataloški broj:: 787-9383robna marka: VishayProizvođački broj:: SIS468DN-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

ThunderFET

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18.1 nC @ 10 V

Width

3.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.12mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 25,74

KM 5,148 Each (Supplied as a Tape) (bez PDV-a)

KM 30,12

KM 6,023 Each (Supplied as a Tape) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SIS468DN-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5KM 25,74
10KM 51,48
15KM 77,22
20KM 102,95
25KM 128,69
30KM 154,43
35KM 180,17
40KM 205,91
45KM 231,65
50KM 234,67
55KM 258,14
60KM 281,61
65KM 305,08
70KM 328,54
75KM 352,01

KM 25,74

KM 5,148 Each (Supplied as a Tape) (bez PDV-a)

KM 30,12

KM 6,023 Each (Supplied as a Tape) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SIS468DN-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5KM 25,74
10KM 51,48
15KM 77,22
20KM 102,95
25KM 128,69
30KM 154,43
35KM 180,17
40KM 205,91
45KM 231,65
50KM 234,67
55KM 258,14
60KM 281,61
65KM 305,08
70KM 328,54
75KM 352,01

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo traka
5 - 45KM 5,148KM 25,74
50 - 245KM 4,693KM 23,47
250 - 495KM 4,607KM 23,03
500 - 1245KM 3,677KM 18,38
1250+KM 3,396KM 16,98

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

ThunderFET

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18.1 nC @ 10 V

Width

3.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.12mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više