onsemi SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 NVHL080N120SC1

RS kataloški broj:: 189-0265brend: onsemiProizvođački broj:: NVHL080N120SC1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

162 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

348 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-15 V, +25 V

Width

4.82mm

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Length

15.87mm

Typical Gate Charge @ Vgs

56 nC @ 20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

20.82mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

4V

Automotive Standard

AEC-Q101

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

RSD 61.294

RSD 2.043,13 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)

RSD 73.553

RSD 2.451,756 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)

onsemi SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 NVHL080N120SC1

30

Dostupno u više komada 30
30RSD 61.294
60RSD 122.588
90RSD 183.882
120RSD 245.176
150RSD 306.469
180RSD 367.763
210RSD 429.057
240RSD 490.351
270RSD 551.645
300RSD 612.939
330RSD 674.233
360RSD 735.527
390RSD 796.821
420RSD 858.115
450RSD 919.408

RSD 61.294

RSD 2.043,13 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)

RSD 73.553

RSD 2.451,756 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)

onsemi SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 NVHL080N120SC1

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

30

Dostupno u više komada 30
30RSD 61.294
60RSD 122.588
90RSD 183.882
120RSD 245.176
150RSD 306.469
180RSD 367.763
210RSD 429.057
240RSD 490.351
270RSD 551.645
300RSD 612.939
330RSD 674.233
360RSD 735.527
390RSD 796.821
420RSD 858.115
450RSD 919.408

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

162 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

348 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-15 V, +25 V

Width

4.82mm

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Length

15.87mm

Typical Gate Charge @ Vgs

56 nC @ 20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

20.82mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

4V

Automotive Standard

AEC-Q101

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više