onsemi N-Channel MOSFET, 252 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NVMYS1D3N04CTWG

RS kataloški broj:: 185-9246brend: onsemiProizvođački broj:: NVMYS1D3N04CTWG
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

252 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

LFPAK, SOT-669

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

1.15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

134 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.25mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

75 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.2mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Zemlja podrijetla

Philippines

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 1.703

RSD 425,87 komadno (u pakovanju od 4) (bez PDV-a)

RSD 2.044

RSD 511,044 komadno (u pakovanju od 4) (s PDV-om)

onsemi N-Channel MOSFET, 252 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NVMYS1D3N04CTWG
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 4.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 4.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

4

Dostupno u više komada 4
4RSD 1.703
8RSD 3.407
12RSD 5.110
16RSD 6.814
20RSD 8.517
24RSD 10.221
28RSD 11.924
32RSD 13.628
36RSD 15.331
40RSD 14.892
44RSD 16.382
48RSD 17.871
52RSD 19.360
56RSD 20.849
60RSD 22.339

RSD 1.703

RSD 425,87 komadno (u pakovanju od 4) (bez PDV-a)

RSD 2.044

RSD 511,044 komadno (u pakovanju od 4) (s PDV-om)

onsemi N-Channel MOSFET, 252 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NVMYS1D3N04CTWG
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 4.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 4.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

4

Dostupno u više komada 4
4RSD 1.703
8RSD 3.407
12RSD 5.110
16RSD 6.814
20RSD 8.517
24RSD 10.221
28RSD 11.924
32RSD 13.628
36RSD 15.331
40RSD 14.892
44RSD 16.382
48RSD 17.871
52RSD 19.360
56RSD 20.849
60RSD 22.339

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cenaPo pakovanje
4 - 36RSD 425,87RSD 1.703
40 - 396RSD 372,309RSD 1.489
400 - 1996RSD 335,732RSD 1.343
2000+RSD 308,298RSD 1.233

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

252 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

LFPAK, SOT-669

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

1.15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

134 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.25mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

75 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.2mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Zemlja podrijetla

Philippines

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više