STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 16 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STB16NF06LT4
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Width
10.4mm
Length
10.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.3 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.6mm
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 120.184
RSD 120,184 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 144.221
RSD 144,221 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
1000
RSD 120.184
RSD 120,184 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 144.221
RSD 144,221 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
1000
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Width
10.4mm
Length
10.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.3 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.6mm
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda