Vishay P-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 SI3433CDV-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
TSOP-6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
60 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.1mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 8,00
€ 0,40 Each (In a Pack of 20) (bez PDV-a)
€ 9,36
€ 0,468 Each (In a Pack of 20) (s PDV-om)
Standard
20
€ 8,00
€ 0,40 Each (In a Pack of 20) (bez PDV-a)
€ 9,36
€ 0,468 Each (In a Pack of 20) (s PDV-om)
Standard
20
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
TSOP-6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
60 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.1mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda