Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7288DP-T1-GE3

RS kataloški broj:: 818-1390Probna marka: VishayProizvođački broj:: SI7288DP-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

15.6 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

€ 166,00

€ 1,66 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

€ 207,50

€ 2,075 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7288DP-T1-GE3
Odaberite vrstu pakiranja

€ 166,00

€ 1,66 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

€ 207,50

€ 2,075 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7288DP-T1-GE3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakiranja

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinajedinična cijenaPo kolut
100 - 240€ 1,66€ 16,60
250 - 490€ 1,45€ 14,50
500 - 990€ 1,42€ 14,20
1000+€ 1,38€ 13,80

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

15.6 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više