Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiMaximum Continuous Collector Current
35 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20.0V
Number of Transistors
6
Package Type
DIP26
Configuration
3 Phase
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
€ 145,07
€ 145,07 komadno (bez PDV-a)
€ 181,34
€ 181,34 komadno (s PDV-om)
onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
1
€ 145,07
€ 145,07 komadno (bez PDV-a)
€ 181,34
€ 181,34 komadno (s PDV-om)
onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiMaximum Continuous Collector Current
35 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20.0V
Number of Transistors
6
Package Type
DIP26
Configuration
3 Phase
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N