N-Channel MOSFET Transistor, 25 A, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP26N65DM2
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
35.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Width
4.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.75mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
RSD 574,794
komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 689,753
komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
50
RSD 574,794
komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 689,753
komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
50
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RSD 574,794 | RSD 28.740 |
| 100 - 200 | RSD 509,476 | RSD 25.474 |
| 250 - 450 | RSD 502,944 | RSD 25.147 |
| 500 - 950 | RSD 470,286 | RSD 23.514 |
| 1000+ | RSD 450,69 | RSD 22.535 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
35.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Width
4.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.75mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda