P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba SSM3J334R,LF(T

RS kataloški broj:: 144-5260robna marka: ToshibaProizvođački broj:: SSM3J334R,LF(T
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

136 mΩ

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+20 V

Width

1.8mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.9 nC @ -10 V nC

Height

0.8mm

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET P-Channel, SSM3J Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 0,24

komadno (u pakiranju od 30) (bez PDV-a)

€ 0,30

komadno (u pakiranju od 30) (s PDV-om)

P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba SSM3J334R,LF(T

€ 0,24

komadno (u pakiranju od 30) (bez PDV-a)

€ 0,30

komadno (u pakiranju od 30) (s PDV-om)

P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba SSM3J334R,LF(T
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Kupujte na veliko

količinajedinična cijenaPo pakiranje
30 - 120€ 0,24€ 7,20
150+€ 0,23€ 6,90

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

136 mΩ

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+20 V

Width

1.8mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.9 nC @ -10 V nC

Height

0.8mm

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET P-Channel, SSM3J Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više