STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 15 A, 200 V, 3-Pin TO-220 STP19NF20
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Series
STripFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.15mm
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 9.732
RSD 194,646 komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 11.679
RSD 233,575 komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
50
RSD 9.732
RSD 194,646 komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 11.679
RSD 233,575 komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Series
STripFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.15mm
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda