Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1

RS kataloški broj:: 284-724robna marka: InfineonProizvođački broj:: IMT65R057M1HXUMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 41.854,12

KM 20,927 Each (On a Reel of 2000) (bez PDV-a)

KM 48.969,32

KM 24,485 Each (On a Reel of 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1

2000

Dostupno u više komada 2000
2000KM 41.854,12
4000KM 83.708,24
6000KM 125.562,36
8000KM 167.416,48
10000KM 209.270,60
12000KM 251.124,72
14000KM 292.978,84
16000KM 334.832,96
18000KM 376.687,08
20000KM 418.541,20
22000KM 460.395,32
24000KM 502.249,44
26000KM 544.103,56
28000KM 585.957,68
30000KM 627.811,80

KM 41.854,12

KM 20,927 Each (On a Reel of 2000) (bez PDV-a)

KM 48.969,32

KM 24,485 Each (On a Reel of 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2000

Dostupno u više komada 2000
2000KM 41.854,12
4000KM 83.708,24
6000KM 125.562,36
8000KM 167.416,48
10000KM 209.270,60
12000KM 251.124,72
14000KM 292.978,84
16000KM 334.832,96
18000KM 376.687,08
20000KM 418.541,20
22000KM 460.395,32
24000KM 502.249,44
26000KM 544.103,56
28000KM 585.957,68
30000KM 627.811,80

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više