Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R048M1HXKSA1

RS kataloški broj:: 232-0389brend: InfineonProizvođački broj:: IMW65R048M1HXKSA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

39 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.064 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 34.840

RSD 1.161,344 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)

RSD 41.808

RSD 1.393,613 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R048M1HXKSA1

30

Dostupno u više komada 30
30RSD 34.840
60RSD 67.172
90RSD 98.407
120RSD 131.210
150RSD 164.012
180RSD 196.815
210RSD 229.617
240RSD 262.419
270RSD 295.222
300RSD 328.024
330RSD 360.827
360RSD 393.629
390RSD 426.432
420RSD 459.234
450RSD 492.036

RSD 34.840

RSD 1.161,344 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)

RSD 41.808

RSD 1.393,613 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R048M1HXKSA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

30

Dostupno u više komada 30
30RSD 34.840
60RSD 67.172
90RSD 98.407
120RSD 131.210
150RSD 164.012
180RSD 196.815
210RSD 229.617
240RSD 262.419
270RSD 295.222
300RSD 328.024
330RSD 360.827
360RSD 393.629
390RSD 426.432
420RSD 459.234
450RSD 492.036

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cenaPo cev
30 - 30RSD 1.161,344RSD 34.840
60 - 60RSD 1.119,541RSD 33.586
90+RSD 1.093,414RSD 32.802

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

39 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.064 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više