IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V, 3-Pin TO-247 IXFH170N10P

RS kataloški broj:: 193-509Pbrend: IXYSProizvođački broj:: IXFH170N10P
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

170 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

714 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

198 nC @ 10 V

Width

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

16.26mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

21.46mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 10.614

RSD 2.123 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)

RSD 12.737

RSD 2.547 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V, 3-Pin TO-247 IXFH170N10P
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 1
5RSD 10.614
6RSD 12.737
7RSD 14.860
8RSD 16.983
9RSD 19.105
10RSD 21.228
11RSD 23.351
12RSD 25.474
13RSD 27.597
14RSD 29.719
15RSD 31.842
16RSD 33.965
17RSD 36.088
18RSD 38.211
19RSD 40.334

RSD 10.614

RSD 2.123 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)

RSD 12.737

RSD 2.547 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V, 3-Pin TO-247 IXFH170N10P
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 1
5RSD 10.614
6RSD 12.737
7RSD 14.860
8RSD 16.983
9RSD 19.105
10RSD 21.228
11RSD 23.351
12RSD 25.474
13RSD 27.597
14RSD 29.719
15RSD 31.842
16RSD 33.965
17RSD 36.088
18RSD 38.211
19RSD 40.334

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cena
5 - 49RSD 2.123
50 - 99RSD 1.698
100+RSD 1.666

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

170 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

714 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

198 nC @ 10 V

Width

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

16.26mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

21.46mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više