IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXFN48N60P

RS kataloški broj:: 194-473Probna marka: IXYSProizvođački broj:: IXFN48N60P
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

625 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

150 nC @ 10 V

Width

25.42mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

38.23mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 366,71

KM 73,34 Each (Supplied in a Tube) (bez PDV-a)

KM 429,05

KM 85,81 Each (Supplied in a Tube) (s PDV-om)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXFN48N60P
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cijev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 1
5KM 366,71
6KM 440,06
7KM 513,40
8KM 586,74
9KM 660,08
10KM 733,42
11KM 806,77
12KM 880,11
13KM 953,45
14KM 1.026,80
15KM 1.100,14
16KM 1.173,48
17KM 1.246,82
18KM 1.320,16
19KM 1.393,51

KM 366,71

KM 73,34 Each (Supplied in a Tube) (bez PDV-a)

KM 429,05

KM 85,81 Each (Supplied in a Tube) (s PDV-om)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXFN48N60P
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cijev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 1
5KM 366,71
6KM 440,06
7KM 513,40
8KM 586,74
9KM 660,08
10KM 733,42
11KM 806,77
12KM 880,11
13KM 953,45
14KM 1.026,80
15KM 1.100,14
16KM 1.173,48
17KM 1.246,82
18KM 1.320,16
19KM 1.393,51

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

625 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

150 nC @ 10 V

Width

25.42mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

38.23mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više