Nexperia Dual P-Channel MOSFET, 160 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 BSS84AKS,115

RS kataloški broj:: 792-0917brend: NexperiaProizvođački broj:: BSS84AKS,115
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Nexperia

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

160 mA

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

7.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

320 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Width

1.35mm

Number of Elements per Chip

2

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.26 nC @ 5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

Dual P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 705

RSD 23,514 komad ( isporučivo na traci) (bez PDV-a)

RSD 847

RSD 28,217 komad ( isporučivo na traci) (s PDV-om)

Nexperia Dual P-Channel MOSFET, 160 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 BSS84AKS,115
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 30.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 30.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

30

Dostupno u više komada 30
30RSD 705
60RSD 1.411
90RSD 2.116
120RSD 2.822
150RSD 3.527
180RSD 4.233
210RSD 4.938
240RSD 5.643
270RSD 6.349
300RSD 7.054
330RSD 7.760
360RSD 8.465
390RSD 9.171
420RSD 9.876
450RSD 10.581

RSD 705

RSD 23,514 komad ( isporučivo na traci) (bez PDV-a)

RSD 847

RSD 28,217 komad ( isporučivo na traci) (s PDV-om)

Nexperia Dual P-Channel MOSFET, 160 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 BSS84AKS,115
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 30.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 30.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

30

Dostupno u više komada 30
30RSD 705
60RSD 1.411
90RSD 2.116
120RSD 2.822
150RSD 3.527
180RSD 4.233
210RSD 4.938
240RSD 5.643
270RSD 6.349
300RSD 7.054
330RSD 7.760
360RSD 8.465
390RSD 9.171
420RSD 9.876
450RSD 10.581

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Nexperia

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

160 mA

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

7.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

320 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Width

1.35mm

Number of Elements per Chip

2

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.26 nC @ 5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

Dual P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati