onsemi NTH SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 NTH4L080N120SC1
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
NTH
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
0.11 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.3V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 4.365,00
€ 9,70 komadno (u cijevi od 450) (bez PDV-a)
€ 5.456,25
€ 12,125 komadno (u cijevi od 450) (s PDV-om)
450
€ 4.365,00
€ 9,70 komadno (u cijevi od 450) (bez PDV-a)
€ 5.456,25
€ 12,125 komadno (u cijevi od 450) (s PDV-om)
450
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
NTH
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
0.11 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.3V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda