N-Channel MOSFET, 54 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD18537NKCS
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
54 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
79 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Series
NexFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
16.51mm
Detalji o proizvodu
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
komadno (isporučuje se u cijevi) (bez PDV-a)
Proizvodno pakovanje (cijev)
5
Cijena na upit
komadno (isporučuje se u cijevi) (bez PDV-a)
Proizvodno pakovanje (cijev)
5
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
54 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
79 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Series
NexFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
16.51mm
Detalji o proizvodu
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda