Toshiba P-Channel MOSFET, 8 A, 60 V, 3-Pin DPAK TJ8S06M3L

RS kataloški broj:: 171-2415robna marka: ToshibaProizvođački broj:: TJ8S06M3L
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

130 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

27 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

7mm

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Automotive Standard

AEC-Q101

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

2.3mm

Zemlja podrijetla

Japan

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 3.207,51

KM 1,604 Each (On a Reel of 2000) (bez PDV-a)

KM 3.752,79

KM 1,877 Each (On a Reel of 2000) (s PDV-om)

Toshiba P-Channel MOSFET, 8 A, 60 V, 3-Pin DPAK TJ8S06M3L

2000

Dostupno u više komada 2000
2000KM 3.207,51
4000KM 6.415,02
6000KM 9.622,54
8000KM 12.830,05
10000KM 16.037,56
12000KM 19.245,07
14000KM 22.452,58
16000KM 25.660,10
18000KM 28.867,61
20000KM 32.075,12
22000KM 35.282,63
24000KM 38.490,14
26000KM 41.697,66
28000KM 44.905,17
30000KM 48.112,68

KM 3.207,51

KM 1,604 Each (On a Reel of 2000) (bez PDV-a)

KM 3.752,79

KM 1,877 Each (On a Reel of 2000) (s PDV-om)

Toshiba P-Channel MOSFET, 8 A, 60 V, 3-Pin DPAK TJ8S06M3L
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2000

Dostupno u više komada 2000
2000KM 3.207,51
4000KM 6.415,02
6000KM 9.622,54
8000KM 12.830,05
10000KM 16.037,56
12000KM 19.245,07
14000KM 22.452,58
16000KM 25.660,10
18000KM 28.867,61
20000KM 32.075,12
22000KM 35.282,63
24000KM 38.490,14
26000KM 41.697,66
28000KM 44.905,17
30000KM 48.112,68

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

130 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

27 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

7mm

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Automotive Standard

AEC-Q101

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

2.3mm

Zemlja podrijetla

Japan

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više