Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK40A06N1,S4X(S

RS kataloški broj:: 896-2375brend: ToshibaProizvođački broj:: TK40A06N1,S4X(S
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TK

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

30 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 993

RSD 99,283 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)

RSD 1.191

RSD 119,14 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK40A06N1,S4X(S

10

Dostupno u više komada 10
10RSD 993
20RSD 1.986
30RSD 2.978
40RSD 3.971
50RSD 3.266
60RSD 3.919
70RSD 4.572
80RSD 5.225
90RSD 5.879
100RSD 6.532
110RSD 7.185
120RSD 7.838
130RSD 8.491
140RSD 9.144
150RSD 9.798

RSD 993

RSD 99,283 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)

RSD 1.191

RSD 119,14 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK40A06N1,S4X(S
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

10

Dostupno u više komada 10
10RSD 993
20RSD 1.986
30RSD 2.978
40RSD 3.971
50RSD 3.266
60RSD 3.919
70RSD 4.572
80RSD 5.225
90RSD 5.879
100RSD 6.532
110RSD 7.185
120RSD 7.838
130RSD 8.491
140RSD 9.144
150RSD 9.798

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cenaPo pakovanje
10 - 40RSD 99,283RSD 993
50+RSD 65,317RSD 653

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TK

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

30 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više