Vishay N-Channel MOSFET, 2.5 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB IRF820PBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 10,20
€ 1,02 komadno ( isporučuje se kao traka) (bez PDV-a)
€ 11,93
€ 1,19 komadno ( isporučuje se kao traka) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (traka)
10
€ 10,20
€ 1,02 komadno ( isporučuje se kao traka) (bez PDV-a)
€ 11,93
€ 1,19 komadno ( isporučuje se kao traka) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (traka)
10
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cijena |
|---|---|
| 10 - 49 | € 1,02 |
| 50 - 99 | € 0,94 |
| 100 - 249 | € 0,92 |
| 250+ | € 0,88 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda