Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.29mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
3.37mm
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 7.316
RSD 73,156 komad (u Tubi od 100) (bez PDV-a)
RSD 8.779
RSD 87,787 komad (u Tubi od 100) (s PDV-om)
100
RSD 7.316
RSD 73,156 komad (u Tubi od 100) (bez PDV-a)
RSD 8.779
RSD 87,787 komad (u Tubi od 100) (s PDV-om)
100
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 100 - 100 | RSD 73,156 | RSD 7.316 |
| 200 - 400 | RSD 70,543 | RSD 7.054 |
| 500+ | RSD 66,624 | RSD 6.662 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.29mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
3.37mm
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda