Vishay N-Channel MOSFET, 23 A, 500 V, 3-Pin TO-247AC IRFP23N50LPBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
235 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
370 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 7,76
€ 7,76 komadno (bez PDV-a)
€ 9,70
€ 9,70 komadno (s PDV-om)
Standard
1
€ 7,76
€ 7,76 komadno (bez PDV-a)
€ 9,70
€ 9,70 komadno (s PDV-om)
Standard
1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
| količina | jedinična cijena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 7,76 |
| 10 - 24 | € 7,65 |
| 25 - 49 | € 7,56 |
| 50 - 99 | € 7,52 |
| 100+ | € 7,35 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
235 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
370 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda