Vishay N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
51 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 19,00
€ 1,90 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)
€ 22,23
€ 2,223 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)
Standard
10
€ 19,00
€ 1,90 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)
€ 22,23
€ 2,223 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)
Standard
10
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cijena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,90 | € 19,00 |
| 50 - 90 | € 1,81 | € 18,10 |
| 100 - 240 | € 1,71 | € 17,10 |
| 250 - 490 | € 1,67 | € 16,70 |
| 500+ | € 1,63 | € 16,30 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
51 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda