Dual N/P-Channel MOSFET, 3 A, 3.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4532ADY-T1-E3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3 A, 3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
53 mΩ, 80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.13 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V, 8 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Detalji o proizvodu
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)
Standard
10
Cijena na upit
Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)
Standard
10
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3 A, 3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
53 mΩ, 80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.13 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V, 8 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Detalji o proizvodu
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda