Vishay Dual P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3

RS kataloški broj:: 787-9008Pbrend: VishayProizvođački broj:: SI4948BEY-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.4 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

4mm

Transistor Material

Si

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 10.385

RSD 207,709 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 12.463

RSD 249,251 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Vishay Dual P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

50

Dostupno u više komada 5
50RSD 10.385
55RSD 11.424
60RSD 12.463
65RSD 13.501
70RSD 14.540
75RSD 15.578
80RSD 16.617
85RSD 17.655
90RSD 18.694
95RSD 19.732
100RSD 20.771
105RSD 21.809
110RSD 22.848
115RSD 23.887
120RSD 24.925

RSD 10.385

RSD 207,709 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 12.463

RSD 249,251 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Vishay Dual P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

50

Dostupno u više komada 5
50RSD 10.385
55RSD 11.424
60RSD 12.463
65RSD 13.501
70RSD 14.540
75RSD 15.578
80RSD 16.617
85RSD 17.655
90RSD 18.694
95RSD 19.732
100RSD 20.771
105RSD 21.809
110RSD 22.848
115RSD 23.887
120RSD 24.925

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cenaPo kolut
50 - 245RSD 207,709RSD 1.039
250 - 495RSD 176,357RSD 882
500 - 1245RSD 152,843RSD 764
1250+RSD 145,005RSD 725

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.4 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

4mm

Transistor Material

Si

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati