Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R083M1HXKSA1

RS kataloški broj:: 232-0396robna marka: InfineonProizvođački broj:: IMW65R083M1HXKSA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-247

Series

CoolSiC

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.111 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 470,57

KM 15,686 Each (In a Tube of 30) (bez PDV-a)

KM 550,57

KM 18,353 Each (In a Tube of 30) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R083M1HXKSA1

30

Dostupno u više komada 30
30KM 470,57
60KM 905,93
90KM 1.358,89
120KM 1.811,85
150KM 2.212,01
180KM 2.654,41
210KM 3.096,81
240KM 3.539,22
270KM 3.981,62
300KM 4.424,02
330KM 4.866,42
360KM 5.308,82
390KM 5.751,23
420KM 6.193,63
450KM 6.636,03

KM 470,57

KM 15,686 Each (In a Tube of 30) (bez PDV-a)

KM 550,57

KM 18,353 Each (In a Tube of 30) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R083M1HXKSA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

30

Dostupno u više komada 30
30KM 470,57
60KM 905,93
90KM 1.358,89
120KM 1.811,85
150KM 2.212,01
180KM 2.654,41
210KM 3.096,81
240KM 3.539,22
270KM 3.981,62
300KM 4.424,02
330KM 4.866,42
360KM 5.308,82
390KM 5.751,23
420KM 6.193,63
450KM 6.636,03

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

količinaJedinična cijenaPo cijev
30 - 30KM 15,686KM 470,57
60 - 120KM 15,099KM 452,96
150+KM 14,747KM 442,40

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-247

Series

CoolSiC

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.111 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više