Texas Instruments N-Channel MOSFET, 204 A, 40 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD18502Q5B

RS kataloški broj:: 827-4870brend: Texas InstrumentsProizvođački broj:: CSD18502Q5B
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

204 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

NexFET

Package Type

VSON-CLIP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

3.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.05mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 2.221

RSD 444,159 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 2.665

RSD 532,991 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

Texas Instruments N-Channel MOSFET, 204 A, 40 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD18502Q5B
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 2.221
10RSD 4.442
15RSD 6.662
20RSD 8.883
25RSD 10.679
30RSD 12.815
35RSD 14.951
40RSD 17.087
45RSD 19.223
50RSD 20.052
55RSD 22.058
60RSD 24.063
65RSD 26.068
70RSD 28.073
75RSD 30.079

RSD 2.221

RSD 444,159 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 2.665

RSD 532,991 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

Texas Instruments N-Channel MOSFET, 204 A, 40 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD18502Q5B
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 2.221
10RSD 4.442
15RSD 6.662
20RSD 8.883
25RSD 10.679
30RSD 12.815
35RSD 14.951
40RSD 17.087
45RSD 19.223
50RSD 20.052
55RSD 22.058
60RSD 24.063
65RSD 26.068
70RSD 28.073
75RSD 30.079

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cenaPo pakovanje
5 - 20RSD 444,159RSD 2.221
25 - 45RSD 427,176RSD 2.136
50 - 120RSD 401,049RSD 2.005
125 - 245RSD 376,229RSD 1.881
250+RSD 371,003RSD 1.855

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

204 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

NexFET

Package Type

VSON-CLIP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

3.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.05mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više