Nexperia PBSS5230T,215 PNP Transistor, -2 A, -30 V, 3-Pin SOT-23

RS kataloški broj:: 518-1839robna marka: NexperiaProizvođački broj:: PBSS5230T,215
brand-logo
Prikaži sve u Bipolar Transistors

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Nexperia

Transistor Type

PNP

Maximum DC Collector Current

-2 A

Maximum Collector Emitter Voltage

-30 V

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

480 mW

Minimum DC Current Gain

300

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

30 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Maximum Operating Frequency

200 MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

1 x 3 x 1.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Low Saturation Voltage PNP Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

KM 6,65

KM 0,665 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)

KM 7,78

KM 0,778 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)

Nexperia PBSS5230T,215 PNP Transistor, -2 A, -30 V, 3-Pin SOT-23
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10KM 6,65
20KM 13,30
30KM 19,95
40KM 26,60
50KM 33,25
60KM 39,90
70KM 46,55
80KM 53,20
90KM 59,85
100KM 66,50
110KM 73,15
120KM 79,80
130KM 86,45
140KM 93,10
150KM 99,75

KM 6,65

KM 0,665 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)

KM 7,78

KM 0,778 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)

Nexperia PBSS5230T,215 PNP Transistor, -2 A, -30 V, 3-Pin SOT-23

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10KM 6,65
20KM 13,30
30KM 19,95
40KM 26,60
50KM 33,25
60KM 39,90
70KM 46,55
80KM 53,20
90KM 59,85
100KM 66,50
110KM 73,15
120KM 79,80
130KM 86,45
140KM 93,10
150KM 99,75

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Nexperia

Transistor Type

PNP

Maximum DC Collector Current

-2 A

Maximum Collector Emitter Voltage

-30 V

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

480 mW

Minimum DC Current Gain

300

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

30 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Maximum Operating Frequency

200 MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

1 x 3 x 1.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Low Saturation Voltage PNP Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više