N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Toshiba TK20N60W5,S1VF(S

RS kataloški broj:: 125-0551brend: ToshibaProizvođački broj:: TK20N60W5,S1VF(S
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

175 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

165 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

5.02mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

15.94mm

Typical Gate Charge @ Vgs

55 nC @ 10 V

Height

20.95mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 2.796

RSD 559,117 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 3.355

RSD 670,94 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Toshiba TK20N60W5,S1VF(S

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 2.796
10RSD 5.591
15RSD 8.387
20RSD 11.182
25RSD 12.770
30RSD 15.323
35RSD 17.877
40RSD 20.431
45RSD 22.985
50RSD 24.298
55RSD 26.728
60RSD 29.158
65RSD 31.588
70RSD 34.017
75RSD 36.447

RSD 2.796

RSD 559,117 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 3.355

RSD 670,94 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Toshiba TK20N60W5,S1VF(S
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 2.796
10RSD 5.591
15RSD 8.387
20RSD 11.182
25RSD 12.770
30RSD 15.323
35RSD 17.877
40RSD 20.431
45RSD 22.985
50RSD 24.298
55RSD 26.728
60RSD 29.158
65RSD 31.588
70RSD 34.017
75RSD 36.447

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo pakovanje
5 - 20RSD 559,117RSD 2.796
25 - 45RSD 510,782RSD 2.554
50+RSD 485,962RSD 2.430

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

175 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

165 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

5.02mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

15.94mm

Typical Gate Charge @ Vgs

55 nC @ 10 V

Height

20.95mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više