Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3

RS kataloški broj:: 178-3877Pbrend: Vishay SiliconixProizvođački broj:: SQ2364EES-T1_GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.46V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Height

1.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 6.924

RSD 69,236 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 8.308

RSD 83,083 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 25
100RSD 6.924
125RSD 8.655
150RSD 10.385
175RSD 12.116
200RSD 13.847
225RSD 15.578
250RSD 17.309
275RSD 19.040
300RSD 20.771
325RSD 22.502
350RSD 24.233
375RSD 25.964
400RSD 27.695
425RSD 29.426
450RSD 31.156

RSD 6.924

RSD 69,236 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 8.308

RSD 83,083 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 25
100RSD 6.924
125RSD 8.655
150RSD 10.385
175RSD 12.116
200RSD 13.847
225RSD 15.578
250RSD 17.309
275RSD 19.040
300RSD 20.771
325RSD 22.502
350RSD 24.233
375RSD 25.964
400RSD 27.695
425RSD 29.426
450RSD 31.156

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cenaPo kolut
100 - 475RSD 69,236RSD 1.731
500 - 975RSD 60,092RSD 1.502
1000+RSD 53,56RSD 1.339

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.46V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Height

1.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više